(Reuters).- planea construir una fábrica de producción de con una inversión total de 400,000 millones de yenes (unos US$ 4,000 millones) junto a SanDisk Corp, informó el diario Nikkei.

Toshiba piensa fabricar de 16-17 nanómetros de ancho en la nueva planta para ganar terreno a expensas de en la producción de más a partir de una única oblea de silicio, dijo el periódico.

Los que actualmente se fabrican tienen un ancho de 19 nm.

La nueva instalación, que iniciaría las actividades de producción el próximo año fiscal, incrementaría la capacidad de la planta en alrededor de un 20%, desde un equivalente mensual estimado de 450.000 obleas de 300 nm, reportó Nikkei.

Toshiba y SanDisk, que tienen una sociedad para producir la memoria flash NAND, se repartirán los gastos para la nueva instalación sobre la base de su planta en Yokkaichi, en la prefectura de Mie, dijo el periódico japonés.

Esta sería la primer gran de Toshiba para aumentar la producción en casi dos años, indicó Nikkei.